可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極(G)。

　　1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動(R×1擋)，可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。

　　2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流小)。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。

　　對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不同而異)。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓(或電流)小。

　　若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

　　對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

　　逆變器IGBT模塊檢測：

　　將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性,來判斷IGBT模塊是否完好。

　　以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除,使用二極管測試檔，紅表筆接P(集電極c1)，黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2)，黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時,只有擊穿短路情況出現(xiàn)。

紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性,萬用表兩次所測的數(shù)值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時,說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。

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